W97BH6MBVA2I是一款由Winbond公司生产的DRAM芯片,属于其高性能存储器产品系列。该芯片设计用于满足现代电子设备对高速数据存取和大容量存储的需求,广泛应用于计算机、工业控制系统、通信设备以及其他需要高效能内存的场合。W97BH6MBVA2I采用先进的半导体制造工艺,确保了其在高频率操作下的稳定性和可靠性。该芯片的封装形式为BGA(Ball Grid Array),有助于提高其散热性能和电路板安装的稳固性。
容量:256MB
组织结构:16M x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
接口类型:异步
最大工作频率:166MHz
W97BH6MBVA2I具有多种特性,使其适用于广泛的电子应用。首先,它的高速存取时间使其适用于需要快速数据处理的应用,如网络设备和工业控制器。其次,该芯片支持异步操作,使其在不需要时钟同步的情况下也能高效工作,增加了其应用灵活性。此外,W97BH6MBVA2I的工作温度范围较宽(-40°C 至 +85°C),使其适用于恶劣环境条件下的工业应用。该芯片的低功耗设计有助于减少整体系统能耗,提高设备的能效。同时,其TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的电气性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局。W97BH6MBVA2I还具备良好的数据保持能力,在低功耗模式下仍能维持数据完整性,适合需要长时间运行的系统。
W97BH6MBVA2I主要应用于需要高性能存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施、网络路由器、打印机、扫描仪以及其他消费类电子产品。由于其高速访问时间和宽温度范围特性,该芯片特别适合用于需要可靠存储和高效数据处理的工业自动化系统和通信设备。
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