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W979H6KBVX2I TR 发布时间 时间:2025/8/21 0:20:31 查看 阅读:4

W979H6KBVX2I TR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的 DDR4 SDRAM 存储器芯片,主要面向工业级应用设计。该芯片具有较高的存储密度和稳定性,适用于需要大容量内存和高可靠性的电子系统,例如嵌入式设备、工业控制、网络设备和汽车电子系统等。作为工业级 IC,W979H6KBVX2I TR 具备宽温工作范围(通常为 -40°C 至 +85°C 或 -40°C 至 +105°C),可在严苛环境中稳定运行。

参数

容量:2Gb(256MB)
  架构:x16 DDR4 SDRAM
  电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装:TSOP
  频率:高达 166MHz
  接口:DDR4
  组织结构:1 Bank x 16 位

特性

W979H6KBVX2I TR 的核心优势在于其低功耗设计和高性能表现。作为一款 DDR4 SDRAM 芯片,它相比前代 DDR3 在功耗方面有显著降低,同时提供了更高的数据传输速率。其工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,这种宽电压设计使其能够适应多种电源供应环境,增强了系统的兼容性和灵活性。此外,该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有助于在不牺牲数据完整性的前提下进一步降低功耗,延长设备续航时间。
  该芯片采用 x16 接口,数据宽度为 16 位,适用于需要较高数据吞吐量的应用场景。它的工作频率高达 166MHz,能够支持快速的数据存取操作,满足对实时性要求较高的系统需求。在封装方面,W979H6KBVX2I TR 使用了 TSOP(薄型小外形封装),这种封装形式不仅有助于提高散热效率,还能够节省 PCB 空间,适用于空间受限的嵌入式设备。
  作为一款工业级器件,W979H6KBVX2I TR 的工作温度范围达到 -40°C 至 +85°C,确保其在极端温度环境下依然能够稳定运行。这使其非常适合应用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性和环境适应性要求较高的场景。此外,该芯片具备良好的抗干扰能力,能够在电磁环境复杂的工业场合中保持稳定工作。

应用

W979H6KBVX2I TR 广泛应用于需要高性能、低功耗和宽温稳定性的嵌入式系统和工业设备中。其典型应用包括但不限于工业自动化控制系统、智能电表、医疗设备、车载电子系统、安防监控设备、网络路由器和交换机等。在这些应用中,该芯片可以作为主控制器的外部存储器,用于临时存储运行数据、缓存程序指令或处理图像信息。此外,由于其低功耗特性,W979H6KBVX2I TR 也非常适合用于电池供电设备,如便携式测量仪器、无人机和物联网终端等。

替代型号

IS42S16400J-6T, A3952SLB-T, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V124SA90PFGI

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W979H6KBVX2I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,500 : ¥39.35202卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-VFBGA
  • 供应商器件封装134-VFBGA(10x11.5)