时间：2025/6/17 9:33:25
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SI2336DS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化封装，适合于要求高效率和小尺寸的应用场景。
其主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理电路。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：10nC
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8
SI2336DS 具有较低的导通电阻，能够显著减少传导损耗并提高系统效率。
它支持高频开关操作，同时具备优异的热性能以确保在紧凑设计中可靠运行。
此 MOSFET 的小型封装有助于节省 PCB 空间，并且与表面贴装技术完全兼容。
此外，其稳健的电气规格使得该器件适用于各种工业和消费类电子产品应用。
该芯片广泛应用于笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备中的负载开关。
还适用于多相 VRM（电压调节模块）控制器、同步整流电路及 DC-DC 转换器等场景。
在汽车电子领域，SI2336DS 也可用于电池保护和电机控制等方面。
SI2304DS, SI2317DS, FDP068N03L
