时间：2025/8/21 3:41:16
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W949D6DBHX5E TR 是由 Winbond 公司生产的一款高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于其 Mobile DRAM 系列产品。该芯片采用 LPDDR4X 技术，专为低功耗和高带宽需求的移动设备设计，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子产品中。该封装为 BGA（球栅阵列）封装，具有良好的散热性能和电气性能。
类型：DRAM
内存类型：LPDDR4X
容量：8 Gb（Gigabit）
组织结构：x16
电压：1.1V / 0.6V（核心 / I/O）
时钟频率：2133 MHz
数据速率：4266 Mbps
封装类型：BGA
封装尺寸：134-ball
工作温度：-40°C 至 +85°C
W949D6DBHX5E TR 采用先进的 LPDDR4X 技术，具有显著的低功耗优势，非常适合用于电池供电设备。其高速数据传输率可达 4266 Mbps，提供了极高的数据带宽，能够满足高分辨率显示、高速缓存和高性能计算的需求。该芯片支持多种节能模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电节能模式，有助于延长设备的电池寿命。
此外，该 DRAM 芯片采用差分时钟（Differential Clock）和选通（Strobe）机制，提高了数据传输的稳定性和抗干扰能力。其封装形式为 134-ball BGA，具有紧凑的尺寸和良好的热管理性能，适用于高密度 PCB 设计。在制造工艺方面，该芯片采用先进的制程技术，确保了高可靠性和长使用寿命。
Winbond 的 LPDDR4X 系列 DRAM 芯片还具备出色的兼容性，可与多种 SoC（系统级芯片）平台配合使用。其内部组织结构为 x16，支持灵活的内存配置和高效的地址访问。该芯片通过 JEDEC 标准认证，确保在不同工作环境下的稳定运行。
W949D6DBHX5E TR 主要用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载导航系统、工业自动化设备以及需要高性能内存支持的嵌入式系统。它特别适合需要高带宽内存和低功耗运行的设备，如 AI 加速器、边缘计算设备和多媒体处理平台。此外，该芯片也可用于需要快速数据处理和缓存的网络设备和通信模块。
MT51K512A2BA18D4-12A, EM78H1460AH6-25D, K3UH7H50AM-AGCL
