类型：DRAM
　　容量：1MB
　　组织结构：1M x 1
　　电压：3.3V
　　访问时间：4ns
　　封装类型：44-pin TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行
　　时钟频率：无
　　数据宽度：1-bit
　　制造厂商：Winbond

W9412G21B-4 是一款早期广泛使用的 EDO DRAM 芯片，具有以下显著特性：
　　首先，该芯片采用了 EDO（Extended Data Out）技术，可以在不增加时钟频率的情况下提高数据存取效率，相较于传统的 FPM DRAM 提高了性能。
　　其次，其访问时间为 4ns，能够在高速系统中稳定运行，适用于需要快速数据访问的场景。
　　再者，该芯片采用 3.3V 电压供电，相较于 5V 的传统 DRAM，功耗更低，有利于降低系统整体能耗，适用于对功耗有一定要求的应用环境。
　　此外，该芯片采用 44-pin TSOP 封装，具有较小的体积，适合在空间受限的 PCB 板上使用，同时具备较好的散热性能。
　　最后，该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），可在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等对稳定性要求较高的应用场景。

W9412G21B-4 主要应用于早期的个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及老式消费电子产品中。由于其 EDO DRAM 特性，在早期计算机内存模块（如 SIMM）中被广泛使用，用于提升系统运行效率。此外，该芯片也可用于需要低功耗、高稳定性的工业设备中，作为临时数据存储单元，适用于数据缓冲、图像处理、网络设备缓存等场景。尽管随着 SDRAM 和 DDR SDRAM 的普及，EDO DRAM 已逐渐退出主流市场，但在某些老旧设备维护和特定工业控制系统中，该芯片仍有使用价值。

W9412G21BH-4, W9412G21BP-4