电容值：2200pF (2.2nF)
　　额定电压：25V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容容差：±10%
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　厚度：最大2.5mm
　　端电极材料：镍/锡电极（Ni/Sn）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-67标准
　　焊接耐热性：符合J-STD-020标准（回流焊条件适用）
　　绝缘电阻：≥4000MΩ 或 ≥100S，取较大者
　　时间常数：≥1000秒
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
　　自谐振频率（SRF）：约100MHz左右（具体取决于电路布局）

LKG1E222MESABK采用X7R类II型介电材料，具备优异的温度稳定性和电容保持率，在-55°C到+125°C的宽温范围内，电容值的变化不超过±15%，这使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，如电源去耦、滤波和信号耦合电路。该电容器的电容容差控制在±10%以内，确保了批次间的一致性和电路设计的精确性。其结构为多层叠层设计，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，显著提升了单位体积的电容密度，同时降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而在高频应用中表现出色。
　　该器件采用1210（3225）标准封装尺寸，兼容主流SMT贴片工艺，支持高速自动贴装和回流焊接，适用于大规模工业化生产。其端电极为三层电极结构（铜-镍-锡），具备良好的可焊性和抗迁移能力，能够有效防止潮湿环境下发生的银离子迁移现象，提升长期使用的可靠性。此外，该电容器通过了AEC-Q200等可靠性认证，适用于汽车电子、工业控制、通信设备等高要求领域。
　　由于其低损耗、高绝缘电阻和稳定的电气性能，LKG1E222MESABK在去耦、旁路、滤波和定时电路中表现优异。即使在高频开关电源或射频电路中，也能有效抑制噪声并维持电压稳定。其机械强度较高，能承受一定的PCB弯曲应力，减少因热胀冷缩或机械振动导致的开裂风险。总体而言，这款电容器结合了高性能、高可靠性和良好的工艺兼容性，是现代电子产品中理想的无源元件选择之一。

LKG1E222MESABK广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于对稳定性和可靠性要求较高的场合。在电源管理电路中，它常被用作输入/输出端的去耦电容，有效滤除高频噪声，稳定供电电压，提升DC-DC转换器、LDO稳压器等电源模块的工作性能。在模拟信号处理电路中，该电容器可用于级间耦合和滤波，因其电容值随温度和电压变化小，有助于维持信号链的精度和线性度。
　　在通信设备中，如基站、路由器和光模块，该电容器用于高频旁路和阻抗匹配网络，帮助降低电磁干扰（EMI）并提高信号完整性。在汽车电子系统中，包括车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元，LKG1E222MESABK凭借其宽温特性和AEC-Q200认证，能够在剧烈温度变化和振动环境中稳定运行。
　　此外，工业自动化设备、医疗电子仪器、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）中的主板和接口电路也普遍采用此类高性能MLCC。其1210封装在空间允许的前提下提供了比小型化封装更高的可靠性和更低的失效率，特别适合用于高可靠性要求的长期运行设备。无论是在高温环境下的持续工作，还是在复杂电磁环境中的抗干扰表现，该电容器均展现出卓越的综合性能。