时间：2025/8/21 11:33:18
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W78LE516P-24 是由 Winbond 公司生产的一款低电压、低功耗的 512K x 4 位静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，具有高性能和低功耗的特点，适用于需要快速存取和可靠存储的应用场景。W78LE516P-24 采用 32 引脚 PLCC 封装，适合在嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备中使用。
容量：512K x 4 位
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：24ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：32 引脚 PLCC
输入/输出接口：4 位数据总线
功耗：典型待机电流为 10mA，工作电流为 150mA
W78LE516P-24 SRAM 芯片采用先进的 CMOS 技术制造，具有高速访问能力和低功耗设计。其访问时间仅为 24ns，能够满足对数据存储和读取速度要求较高的应用需求。该芯片支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），使其适用于多种电源环境。在低功耗模式下，芯片的待机电流仅为 10mA，有效延长了电池供电设备的使用时间。此外，W78LE516P-24 采用 32 引脚 PLCC 封装，具有良好的热稳定性和机械可靠性，便于安装和使用。芯片内置数据保持电路，在电源电压下降时可自动保持数据完整性，防止数据丢失。
该 SRAM 芯片还具有高抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。其内部设计优化了功耗与速度的平衡，适用于需要频繁读写操作的场景。此外，W78LE516P-24 支持异步操作，简化了与外部控制器的连接方式，降低了系统设计的复杂性。芯片的地址线和数据线分离设计，提高了数据存取的效率，并增强了系统的稳定性。
W78LE516P-24 SRAM 芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品以及测试仪器等场景。其高速存取能力和低功耗特性使其特别适合用于缓存存储、数据缓冲、临时数据存储等任务。例如，在工业控制系统中，W78LE516P-24 可用于存储实时数据和程序变量；在通信设备中，可用于缓存数据包和临时存储协议信息；在便携式电子产品中，由于其低功耗特性，可用于延长电池续航时间。此外，该芯片还可用于图像处理设备、智能卡终端和安防系统中，作为临时存储单元。
IS61LV5124-24BLLI、CY62148EDEI-45BV、IDT71V124SA24BVI、AS7C3516C-24BC、M28W512FCT24B
