时间：2025/6/12 14:20:19
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W71GL064CDA9是一款高性能、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片，主要用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。该芯片具有高速读写能力、较低的工作电压范围以及紧凑的封装形式，适合嵌入式系统、工业控制、通信设备以及消费类电子产品中的数据缓冲和临时存储需求。
这款SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具备出色的电气特性和稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于对环境适应性要求较高的场景。
容量：64K x 8位（64KB）
工作电压：2.5V 至 3.6V
访问时间：7ns / 10ns（视具体型号而定）
数据保留时间：无限（只要电源不断开）
封装形式：TQFP-44
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：同步/异步兼容
引脚间距：0.8mm
1. 高速数据访问：支持低至7ns的访问时间，能够满足实时处理系统的性能需求。
2. 低功耗设计：在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电设备。
3. 稳定性强：采用先进的CMOS工艺，确保在极端温度条件下的稳定运行。
4. 易于集成：提供标准的TQFP封装，便于PCB布局和焊接。
5. 数据完整性保障：无刷新需求，保证数据在供电期间始终有效。
6. 异步与同步兼容：可灵活适配不同类型的控制器或微处理器。
W71GL064CDA9广泛应用于各种需要高性能数据存储和缓存的场景，包括但不限于：
1. 工业自动化设备中的数据缓冲模块。
2. 嵌入式系统中作为主存储器或高速缓存。
3. 通信设备中的协议转换和数据暂存。
4. 消费类电子产品如打印机、扫描仪等的临时数据存储。
5. 医疗仪器和测试测量设备中的数据记录单元。
其高速和低功耗的特点使其成为许多高性能应用的理想选择。
CY62LV64A-10JC, AS6C6264AL-10UC, IS61LV6416
