时间：2025/8/25 6:48:07
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FDN327-NL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于中低功率开关应用，具有高效率和快速开关能力。其封装形式为 SOT-223，适用于表面贴装技术（SMT），因此广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷（Qg）：7.2nC
功率耗散（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT-223
FDN327-NL 的核心特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。
其 SOT-223 封装不仅节省空间，而且便于散热，适合在紧凑型设计中使用。
此外，FDN327-NL 具有较高的电流承载能力，能够在不增加额外散热器的情况下处理中等功率负载。
器件的栅极驱动电压范围较宽（通常在 2.5V 至 8V 之间），适用于多种控制电路设计，包括由微控制器直接驱动的应用。
FDN327-NL 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效能、小型化设计的场合。
典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路、LED 驱动器以及电池管理系统。
由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
在工业自动化和控制系统中，FDN327-NL 可用于构建高效率的功率开关电路，实现对电机、继电器和其他执行器的精确控制。
FDN327N, FDN337N, FDV303N, 2N7002, SI2302DS
