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W632GU8NB-12 发布时间 时间:2025/8/20 12:02:59 查看 阅读:8

W632GU8NB-12是一款由Winbond(华邦电子)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高速DRAM产品系列。该芯片采用CMOS技术制造,提供可靠的存储解决方案,适用于需要高速数据存取的应用场景。

参数

容量:32MB
  数据总线宽度:8位(x8)
  工作电压:2.3V至3.6V(宽电压范围)
  访问时间:12ns
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  封装尺寸:54引脚TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

W632GU8NB-12具有高速访问时间(12ns),能够满足高性能系统对数据存取速度的要求。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其适应多种电源设计,增强了系统的兼容性。该芯片采用CMOS技术,具备低功耗、高集成度和稳定性强的特点,适用于工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下依然能够稳定运行。
  该DRAM芯片采用54引脚TSOP封装,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。同时,W632GU8NB-12的接口设计兼容标准DRAM控制器,简化了系统集成过程,降低了设计复杂度。其高可靠性和成熟的制造工艺,使其在嵌入式系统、工业控制、通信设备等领域得到广泛应用。

应用

该芯片常用于需要中等容量高速存储的设备中,如网络设备、工业控制系统、打印机、嵌入式系统、消费类电子产品等。适用于需要高速缓存、帧缓冲或临时数据存储的应用场景。

替代型号

W632GU8NB-10、W632GU8TC-12、CY62148EVLL-12ZS、ISSI IS62C25128AL

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W632GU8NB-12参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格242 : ¥37.47326托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)