W632GU8MB12I 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款内存芯片设计用于高性能计算和嵌入式系统,提供较大的存储容量和较高的数据存取速度。该芯片属于 GDDR(Graphics Double Data Rate)系列,专为需要高速图形处理的应用而优化。
容量:256MB
组织结构:x16
电压:2.5V
时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:54
W632GU8MB12I 采用先进的 CMOS 技术制造,具有低功耗和高性能的特点。其 256MB 容量适用于需要较大缓存的应用场景,例如高端图形处理、网络设备和工业控制系统。该芯片支持异步和同步操作模式,提供灵活的控制选项,包括写保护和自刷新功能,确保数据的完整性和稳定性。
此外,该 DRAM 芯片具有出色的抗干扰能力和稳定性,适合在恶劣的工业环境中使用。其 166MHz 的时钟频率确保了高速数据传输,适用于需要快速响应的系统。TSOP 封装形式有助于减少封装尺寸并提高散热性能,同时确保信号完整性。
W632GU8MB12I 还支持多种刷新模式,如自动刷新和自刷新,可在不同工作条件下保持数据的可靠性。其低功耗特性使其适用于便携式设备和需要节能设计的系统。
该芯片广泛应用于高性能嵌入式系统、工业计算机、图形加速器、通信设备和视频监控系统等领域。其高速存取能力和大容量存储使其成为图形处理、实时数据缓冲和高速缓存的理想选择。此外,W632GU8MB12I 也可用于网络设备和存储控制器,以提高系统性能和响应速度。
AS4C16M16A2B4-6A, HY57V281620FTP-6B, K4S641632K-UC60