类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2SK161Y具有多项优良特性，适用于多种功率电子系统设计。
　　首先，该MOSFET具备较低的导通电阻（RDS(on)），典型值约为0.045Ω，这意味着在导通状态下其功率损耗较小，提高了系统的整体效率。这对于电池供电设备或高效率电源转换器尤为重要。
　　其次，2SK161Y的最大漏极电流可达15A，漏源电压最高为60V，使其适用于中高功率应用，如DC-DC升压/降压模块、电机驱动电路以及负载开关等。其高电流承载能力和良好的电压耐受性，使其在复杂电气环境下仍能保持稳定工作。
　　此外，该器件的栅源电压最大可达±20V，具有较强的抗过压能力，提升了在开关过程中对瞬态电压的容忍度。同时，TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率耗散（75W）条件下仍能维持较低的结温，延长器件使用寿命。
　　2SK161Y还具备快速开关特性，响应时间短，适合高频开关应用，有助于减小外围滤波电路的体积，提高系统紧凑性。其热稳定性优异，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
　　综上所述，2SK161Y是一款性能稳定、适应性强的N沟道MOSFET，广泛适用于多种电源管理与功率控制电路中。

2SK161Y的应用领域涵盖了多个功率电子系统。
　　在电源管理方面，2SK161Y常用于DC-DC转换器中作为主开关元件，因其低导通电阻和高电流能力，能够有效提升转换效率并减少发热。它也适用于电池充电电路、负载开关控制以及电源保护电路中。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于直流电机的H桥驱动电路中，实现电机的正反转控制及调速功能。其高电流承载能力和良好的散热性能，使其在大功率电机驱动应用中表现出色。
　　此外，2SK161Y也广泛应用于音频放大器中，特别是在D类音频功放中作为输出开关器件，利用其快速开关特性来提高音频信号的还原度和效率。
　　在工业自动化和汽车电子中，2SK161Y可作为高边或低边开关，用于控制各种执行机构如继电器、电磁阀、LED照明等，其宽工作温度范围和高可靠性使其非常适合这些应用环境。

2SK2545, IRFZ44N, FDPF4N60TF, FQP15N60C