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W632GU6NB12J 发布时间 时间:2025/8/20 17:02:17 查看 阅读:12

W632GU6NB12J 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高速DRAM系列,广泛应用于需要高性能存储的电子设备中,如嵌入式系统、网络设备、通信设备以及工业控制设备。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:1M x 64
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:12ns
  封装:TSOP
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

W632GU6NB12J 是一款高性能的DRAM芯片,具备以下关键特性:
  首先,其容量为64Mbit,组织方式为1M x 64,使其适用于需要大容量数据缓存的场景。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,具备良好的电压适应能力,能够在不同电源环境下稳定运行。
  其次,该芯片的访问时间为12ns,具备较快的读写速度,适用于需要快速数据存取的应用。其TSOP封装形式不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,有助于提高芯片的稳定性和可靠性。
  此外,W632GU6NB12J 的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备较强的环境适应能力,能够在工业级温度条件下稳定运行,适用于各种严苛的工业和通信环境。

应用

W632GU6NB12J 主要应用于需要高速存储的嵌入式系统,如路由器、交换机、网络通信设备等。此外,它也适用于工业控制系统、视频采集设备、打印机、扫描仪等设备中的数据缓存和临时存储。由于其工业级温度范围和高可靠性,该芯片在工业自动化、智能交通、安防监控等领域也有广泛的应用。在需要高性能和高稳定性的嵌入式设计中,W632GU6NB12J 是一个可靠的选择。

替代型号

W631LV6NB12J, W632UD6NB12J

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W632GU6NB12J参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)