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W632GU6MB11I 发布时间 时间:2025/8/21 1:05:50 查看 阅读:7

W632GU6MB11I 是由 Winbond 公司生产的一款高性能 NOR 闪存芯片,广泛应用于需要快速读取和可靠存储的嵌入式系统中。该芯片具有较大的存储容量和较高的访问速度,适用于代码存储、数据存储以及固件更新等场景。

参数

容量:64Mbit
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  接口类型:SPI
  时钟频率:104MHz
  封装类型:WSON8
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取速度:104MHz
  写入速度:20MHz
  擦除时间:10ms
  

特性

W632GU6MB11I 是一款 SPI NOR Flash 存储器,具备快速读取能力和高可靠性。其 SPI 接口支持高速数据传输,特别适合需要快速启动和高效执行代码的应用场景。该芯片支持多种读写操作模式,包括单线、双线和四线 SPI 模式,提供灵活的配置选项。此外,W632GU6MB11I 还支持安全保护功能,如软件和硬件写保护,确保关键数据不会被意外修改或擦除。
  这款芯片的擦写寿命高达 100,000 次,数据保存时间长达 20 年,适合需要长期稳定运行的应用。其低功耗设计使其在待机模式下电流消耗极低,非常适合电池供电设备使用。此外,W632GU6MB11I 支持多种操作电压范围,适应性强,能够在不同工作环境下保持稳定性能。

应用

该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品、物联网设备以及汽车电子系统中。例如,它可用于存储固件、启动代码、操作系统镜像以及应用程序数据。在需要快速启动和高可靠性的系统中,W632GU6MB11I 是理想的选择。

替代型号

W25Q64JV, MX25L6433F, S25FL164K

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W632GU6MB11I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)