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W632GU6MB-11 发布时间 时间:2025/8/21 3:39:53 查看 阅读:6

W632GU6MB-11 是一款由 Winbond 公司生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步 DRAM 类别,广泛用于需要中等容量内存缓冲的电子设备中。该芯片采用 5V 或 3.3V 电源供电,具有较高的数据存取速度和稳定性,适用于工业控制、消费电子、通信设备等应用领域。W632GU6MB-11 的封装形式通常为 28 引脚 SOJ(Small Outline J-Lead)或 TSOP(Thin Small Outline Package),适合多种电路设计环境。

参数

容量:64Mbit(Megabits)
  组织方式:X16(即每个地址访问16位数据)
  电压范围:5V 或 3.3V(依据具体版本)
  访问时间:11ns(纳秒)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:28 引脚 SOJ 或 TSOP
  接口类型:并行接口
  刷新方式:自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)

特性

W632GU6MB-11 是一款高性能的异步 DRAM 存储器芯片,具备优异的读写速度和稳定的工作性能。该芯片的访问时间为 11ns,意味着其数据读取和写入操作可以在非常短的时间内完成,从而提高系统的整体响应速度。
  该芯片采用异步控制方式,不需要时钟信号同步,简化了控制器的设计,适用于多种嵌入式系统和传统电子设备。此外,W632GU6MB-11 支持自动刷新和自刷新两种模式,能够在不丢失数据的情况下降低功耗,适用于需要长时间运行的设备。
  其电源电压可以选择 5V 或 3.3V,具备较好的兼容性,适用于不同供电条件下的电路设计。芯片的封装形式为 28 引脚 SOJ 或 TSOP,体积小、散热性好,便于在空间受限的应用中使用。
  W632GU6MB-11 的工作温度范围为工业级标准(-40°C 至 +85°C),能够在恶劣环境下稳定运行,适合工业控制、通信设备、车载电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

W632GU6MB-11 广泛应用于需要中等容量内存缓冲的电子设备中,例如工业控制设备、视频采集与显示模块、通信设备、网络设备、医疗仪器以及消费类电子产品等。由于其异步接口设计和良好的性能稳定性,该芯片在传统的嵌入式系统中也具有较高的适用性。

替代型号

W631C16MB-11, W632C6MB11, CY631C16MB-11, HY63F8160BFC-11

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W632GU6MB-11参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)