容量：256Mbit
　　位宽：x16
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　时钟频率：最高可达 166MHz
　　数据速率：166MHz
　　存储架构：DRAM
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

W632GU6MB-08 是一款高性能、低功耗的 DRAM 存储器芯片，采用先进的 CMOS 工艺制造，具有出色的稳定性和可靠性。该芯片的 x16 位宽设计允许同时传输多个数据位，从而提高数据吞吐量，非常适合需要高速数据处理的应用场景。其 166MHz 的最大时钟频率确保了快速的数据访问速度，有助于提升系统的整体性能。
　　此外，W632GU6MB-08 支持多种操作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以适应不同的功耗需求。这使得它在便携式设备或对功耗敏感的应用中表现出色。该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在各种恶劣环境条件下使用，确保设备在极端温度下仍能稳定运行。
　　W632GU6MB-08 采用 TSOP 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。同时，其宽电压范围（2.3V 至 3.6V）增强了设计的灵活性，使其能够兼容多种电源管理系统。这款芯片还具备良好的抗干扰能力和信号完整性，确保在高噪声环境下仍能提供可靠的数据存储和访问性能。

W632GU6MB-08 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、消费类电子产品（如数字电视和多媒体播放器）、手持设备以及通信基础设施。由于其高速数据访问能力和低功耗设计，该芯片特别适合用于需要频繁数据读写和快速响应的应用场景，例如实时视频处理、图形渲染、缓存存储等。此外，其宽温工作范围和高可靠性也使其成为工业自动化和户外设备的理想选择。

W632GU6MB-10, W632GU6MB-15, W631LV6MB-08