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W632GG8MB11I 发布时间 时间:2025/8/20 10:50:55 查看 阅读:4

W632GG8MB11I 是一款由 Winbond 公司生产的高性能、低功耗的移动双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR4X SDRAM)芯片,容量为4Gb(512MB),工作电压为1.8V/1.1V。这款芯片专为移动设备和嵌入式系统设计,提供高速数据传输和较低的功耗,非常适合用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备和高性能计算模块。

参数

容量:4Gb
  组织结构:x32
  接口:LPDDR4X
  工作电压:1.8V/1.1V
  时钟频率:最高可达2133MHz
  数据速率:4266Mbps
  封装形式:115-ball BGA
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

W632GG8MB11I 是一款先进的低功耗 DDR4X SDRAM 芯片,采用先进的 1x nm 工艺制造,具有出色的性能和能效。其 LPDDR4X 标准接口支持高达 4266 Mbps 的数据传输速率,适用于需要高速数据处理的应用场景。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电电源下降模式,有助于延长移动设备的电池寿命。
  该芯片的 115-ball BGA 封装形式提供了良好的热性能和机械稳定性,适用于高密度 PCB 设计。此外,W632GG8MB11I 支持温度传感器功能,可实时监测芯片温度并调整工作状态以确保稳定性。它还支持命令和地址奇偶校验,提高了数据传输的可靠性,适用于对数据完整性要求较高的应用。
  这款 LPDDR4X SDRAM 芯片广泛应用于现代移动设备中,如高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及工业级计算模块。其高性能和低功耗特性使其成为需要高速缓存和数据缓冲的理想选择。

应用

W632GG8MB11I 主要用于需要高速内存支持的移动设备和嵌入式系统。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能电视、机顶盒、车载信息娱乐系统以及工业控制设备。该芯片的高性能和低功耗特性也使其适用于需要实时数据处理和图形渲染的场景,如增强现实(AR)和虚拟现实(VR)设备。

替代型号

W631GG8MB11I, W632GG6EB11I, W632GG8KB11I

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W632GG8MB11I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)