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W632GG6NB15J 发布时间 时间:2025/8/20 11:10:06 查看 阅读:22

W632GG6NB15J 是一款由Winbond公司生产的NAND型闪存芯片,广泛应用于需要大容量数据存储的电子设备中,如智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)和嵌入式系统。这款芯片的容量为32GB,采用64页大小为4KB的块结构,支持高速数据读写操作。

参数

容量:32GB
  存储结构:NAND型闪存
  接口类型:ONFI 3.0
  电压范围:2.3V - 3.6V
  读取速度:最高可达50MB/s
  写入速度:最高可达30MB/s
  擦除速度:块擦除时间约为2ms
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

W632GG6NB15J 采用先进的NAND闪存技术,具备高性能和高可靠性。其ONFI 3.0接口提供了与主机控制器的兼容性,简化了系统设计。该芯片支持ECC(错误校正码)功能,确保数据完整性,并且具备坏块管理功能,延长了存储寿命。此外,其低功耗设计适用于电池供电设备。
  这款NAND闪存芯片的读取和写入速度分别可达50MB/s和30MB/s,适合需要快速数据访问的应用。它的工作温度范围宽广,适合在恶劣环境下使用。W632GG6NB15J 还支持多种安全特性,如一次性可编程(OTP)区域,用于存储安全信息。

应用

W632GG6NB15J 通常用于需要大容量非易失性存储的应用场景。例如,它可以用于智能手机和平板电脑的内部存储,嵌入式系统的固态硬盘(SSD),工业控制设备的数据记录器,以及消费类电子产品如数码相机和MP3播放器。此外,它也适用于需要可靠数据存储的车载系统和医疗设备。

替代型号

W29N32GVSIAA, TC58TEG5DCBTA0J, H27UCG8T2BTR-BC

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W632GG6NB15J参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)