时间：2025/11/4 13:35:11
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ADG936BRUZ-R是Analog Devices（亚德诺半导体）公司生产的一款高性能、低功耗的射频（RF）开关芯片，专为需要快速切换和高线性度的通信系统而设计。该器件采用先进的硅基工艺制造，具有出色的射频性能和可靠性，适用于多种高频应用环境。ADG936BRUZ-R是一款单刀双掷（SPDT, Single-Pole Double-Throw）射频开关，工作频率范围宽，覆盖从直流（DC）到高达4 GHz甚至更高的频段，使其能够广泛应用于无线通信、蜂窝基础设施、便携式设备以及测试测量仪器中。该芯片在封装上采用了小型化的2 mm × 2 mm TSSOP-8封装（RU表示TSSOP封装，Z表示无铅和符合RoHS标准），便于在空间受限的PCB布局中使用。此外，ADG936BRUZ-R支持CMOS兼容控制逻辑电平，可以直接与数字信号处理器（DSP）、微控制器或FPGA等逻辑电路接口，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。该器件还具备良好的隔离度和较低的插入损耗，在发射和接收路径之间提供高效的信号路由能力，确保系统的高保真传输性能。由于其出色的功率处理能力和高线性度（高IP3），ADG936BRUZ-R能够在存在强干扰信号的环境中保持稳定运行，避免互调失真对系统性能的影响。
型号：ADG936BRUZ-R
制造商：Analog Devices
封装类型：TSSOP-8
引脚数：8
工作电压范围：2.7 V 至 5.5 V
控制逻辑类型：CMOS兼容
开关配置：单刀双掷（SPDT）
工作频率范围：DC 至 4 GHz
插入损耗：典型值0.4 dB @ 1 GHz
隔离度：典型值40 dB @ 1 GHz
输入三阶交调截点（IIP3）：> +50 dBm
上升/下降时间：典型值5 ns
关断状态关断功率：-40 dBm
ESD保护：HBM > 2 kV
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
湿度敏感等级（MSL）：MSL 1
无铅/符合RoHS：是
ADG936BRUZ-R的核心特性之一是其卓越的射频性能表现，尤其是在高频环境下仍能维持低插入损耗和高隔离度。在1 GHz频率下，其典型插入损耗仅为0.4 dB，这意味着信号通过开关时的能量损失极小，有助于提升整个射频链路的效率。同时，在相同频率下，其端口间的隔离度可达40 dB以上，有效防止了发射通道与接收通道之间的串扰，提高了系统的抗干扰能力。这种优异的性能使得该器件非常适合用于双工器替代方案或天线切换系统中。
另一个关键特性是其高线性度和大功率处理能力。ADG936BRUZ-R的输入三阶交调截点（IIP3）超过+50 dBm，表明其在面对高强度信号时仍能保持良好的线性响应，显著降低互调产物的生成，这对于多载波通信系统尤为重要。此外，它能承受较高的射频输入功率而不发生性能退化或损坏，增强了系统在恶劣电磁环境下的鲁棒性。
该器件采用CMOS兼容控制逻辑，支持3 V和5 V逻辑电平直接驱动，简化了与数字控制单元的接口设计。内部集成了上拉/下拉电阻，减少了外部元件数量，提升了PCB布局的灵活性和可靠性。其快速切换时间（上升/下降时间约5 ns）支持高速信号切换应用，如雷达系统或跳频通信。
ADG936BRUZ-R还具备良好的静电放电（ESD）防护能力，人体模型（HBM）耐压超过2 kV，提升了器件在生产和使用过程中的可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和商业级应用场景。整体功耗较低，适合电池供电设备使用。
ADG936BRUZ-R广泛应用于各类需要高效射频信号切换的电子系统中。在无线通信领域，它常被用于基站收发信机、蜂窝网络前端模块以及软件定义无线电（SDR）系统中，实现天线在发射与接收模式之间的快速切换。由于其宽频带特性，可支持GSM、WCDMA、LTE乃至5G sub-6 GHz频段的应用需求。
在便携式和移动设备中，例如智能手机、平板电脑和物联网终端，ADG936BRUZ-R可用于Wi-Fi与蓝牙共存管理、多频段天线切换或多模射频前端控制，帮助优化信号质量和能耗表现。
测试与测量设备也是其重要应用方向，包括频谱分析仪、矢量网络分析仪和自动测试设备（ATE），其中高隔离度和低插入损耗对于保证测量精度至关重要。此外，该器件还可用于雷达系统、卫星通信终端以及军事通信设备中，满足对高可靠性和高性能的严苛要求。
由于其小型化封装和低功耗特性，ADG936BRUZ-R也适用于紧凑型模块化设计，如SOM（System-on-Module）或MIMO天线阵列控制系统，为现代高频电子系统提供了灵活且可靠的射频开关解决方案。
ADG936BCPZ-R
ADG936BRUZ
