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W632GG6NB09J 发布时间 时间:2025/8/20 12:06:51 查看 阅读:16

W632GG6NB09J 是 Winbond 公司生产的一款 NOR 闪存芯片,属于高性能、低功耗的存储器解决方案,适用于需要快速随机读取和高可靠性的应用场景。该芯片具备较大的存储容量,广泛用于工业控制、消费电子、网络设备以及车载系统中。

参数

容量:64Mbit(8MB)
  接口类型:SPI(串行外设接口)
  工作电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOIC 8引脚
  读取频率:104MHz
  擦写周期:100,000 次
  数据保存时间:10年

特性

W632GG6NB09J 是一款基于 SPI 接口的 NOR Flash 存储器,具有快速读取性能和高稳定性。其主要特性包括支持高速 SPI 模式(单线、双线和四线模式),适用于代码存储和执行(XIP)场景。该芯片内置高性能的存储单元,具备优异的抗干扰能力和耐用性,适合在复杂环境中运行。此外,W632GG6NB09J 提供多种安全功能,包括软件和硬件写保护机制,以防止数据被意外修改或破坏。其低功耗设计使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。
  在性能方面,W632GG6NB09J 支持高达 104MHz 的读取频率,能够满足对实时性和响应速度要求较高的应用需求。其 64Mbit 容量可以存储较大规模的固件或程序代码,非常适合用于嵌入式系统的启动存储器。此外,该芯片采用 SOIC 8引脚封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。其广泛的工作温度范围(-40°C 至 +85°C)也使其适用于工业和车载等严苛环境。

应用

W632GG6NB09J 常用于嵌入式系统中的程序存储,如工业控制设备、智能家电、通信模块、车载导航系统、医疗设备以及物联网(IoT)终端等。由于其支持 XIP(直接执行代码)功能,可以在不将代码加载到 RAM 的情况下直接运行,因此特别适合用于需要快速启动和高效运行的系统。

替代型号

W25Q64JVSSIQ, MX25L6433F, S25FL164K

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W632GG6NB09J参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.067 GHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)