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W632GG6MB15J 发布时间 时间:2025/8/20 16:33:02 查看 阅读:21

W632GG6MB15J 是一款由Winbond公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高速DRAM产品线。这款芯片主要用于需要高性能存储解决方案的应用,如网络设备、工业控制、嵌入式系统等。W632GG6MB15J具有较大的存储容量和较高的数据传输速率,能够满足复杂系统对内存的需求。

参数

容量:256Mbit
  组织结构:32MB x8 / 16MB x16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54-pin
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

W632GG6MB15J 是一款高性能的DRAM芯片,具有低功耗和高可靠性的特点。其高速时钟频率允许快速的数据访问,适用于对性能有较高要求的系统。此外,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了稳定性和耐用性。它支持异步和同步操作模式,适应不同的系统设计需求。其TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积,还提高了散热性能,适合在紧凑型电子设备中使用。该芯片的宽电压范围设计使其能够在多种电源条件下稳定运行,增强了系统的兼容性和灵活性。此外,W632GG6MB15J 还具备良好的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中保持数据的完整性,适用于工业和通信领域的多种应用场景。

应用

W632GG6MB15J 主要用于需要高速数据存储和处理的应用场景,如路由器、交换机、工业控制设备、嵌入式系统、测试设备以及视频处理设备。其高速性能和高可靠性使其成为通信和工业领域中的理想选择。

替代型号

W632GG6MB15B

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W632GG6MB15J参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)