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W632GG6MB15I TR 发布时间 时间:2025/8/20 15:04:38 查看 阅读:3

W632GG6MB15I TR是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片,广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费电子产品以及通信设备中。该型号属于Winbond的高性能HyperFlash系列,采用HyperBus接口协议,支持高速数据传输,适用于需要快速启动和高效数据存储的应用场景。

参数

容量:32Mbit(4MB)
  电压范围:2.7V至3.6V
  接口类型:HyperBus
  读取频率:150MHz
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:8mm x 6mm
  数据保持时间:100年
  擦写周期:100,000次

特性

W632GG6MB15I TR具有多项优异特性,适用于高性能嵌入式系统的代码存储和执行。其HyperBus接口提供高达333MB/s的有效数据传输速率,支持XIP(执行在原地)模式,使得系统可以直接从闪存中执行代码而无需先加载到RAM中,从而提高系统响应速度并降低整体功耗。
  该芯片具备低功耗设计,在待机模式下的电流消耗极低,适合电池供电设备。其宽温范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种恶劣工业环境。此外,该器件支持多种安全功能,包括软件和硬件写保护、一次性可编程(OTP)区域等,有助于保护敏感数据和关键代码。
  W632GG6MB15I TR还具备良好的可靠性和耐用性,擦写寿命高达100,000次,数据保持时间可达100年,确保长期稳定运行。其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性,适用于空间受限但要求高性能的应用。

应用

W632GG6MB15I TR广泛应用于需要高速启动和代码执行的嵌入式系统,如网络路由器、工业控制器、智能电表、汽车电子控制单元(ECU)、医疗设备、人机界面(HMI)以及物联网(IoT)设备等。由于其支持XIP模式,特别适用于需要快速启动和高效执行的应用场景,例如实时操作系统(RTOS)或嵌入式Linux系统的启动代码存储。

替代型号

W632GU6MB15I TR, W632GG6MB15E TR, W632GG6MB15A TR

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W632GG6MB15I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)