您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W631GU8MB15I

W631GU8MB15I 发布时间 时间:2025/8/21 2:19:00 查看 阅读:9

W631GU8MB15I 是由Winbond公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于容量为256Mbit、组织形式为16M x 16的DRAM存储器,采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高性能的特点。该器件适用于需要高速存储解决方案的应用,例如消费类电子产品、工业设备、通信设备和计算机外设。其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),非常适合空间受限的应用场景。W631GU8MB15I支持自动刷新和自刷新模式,以确保数据的完整性并降低功耗。

参数

容量:256 Mbit
  组织结构:16M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10 ns
  封装类型:TSOP
  封装引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大工作频率:100 MHz
  刷新模式:自动刷新和自刷新
  数据保持电压:1.5V - 3.6V
  

特性

W631GU8MB15I 是一款高性能的DRAM芯片,具备多种显著的特性,使其在各类存储应用中表现出色。首先,该芯片的访问时间为10ns,支持高速数据读写操作,满足对响应速度要求较高的应用需求。此外,其工作电压范围为2.3V至3.6V,具有较好的电压适应性,同时支持低至1.5V的数据保持电压,有助于在掉电或待机状态下降低能耗。
  该芯片采用了CMOS工艺技术,具备良好的抗干扰能力,并能在高频率下稳定运行。W631GU8MB15I 支持两种刷新模式,即自动刷新和自刷新模式。自动刷新模式允许系统通过控制器自动管理刷新周期,而自刷新模式则允许芯片在低功耗状态下自行维持数据完整性,非常适合需要长时间运行或节能的应用场景。
  该芯片的封装形式为54引脚TSOP,具有较薄的外形,适合在紧凑空间中安装。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在恶劣环境下保持稳定运行,适用于工业控制、嵌入式系统、通信模块等对可靠性要求较高的应用。
  总体而言,W631GU8MB15I 是一款性能稳定、低功耗且适用于多种应用场景的DRAM存储器芯片,特别适合需要可靠存储和高速存取的系统设计。

应用

W631GU8MB15I 的应用场景非常广泛。首先,在消费电子产品中,如数码相机、便携式媒体播放器和智能家电中,该芯片可以作为临时数据缓存,提升设备的运行速度和响应效率。其次,在工业控制系统中,如PLC控制器和工业计算机,该芯片可用于存储程序和运行时数据,保证系统在高负载下依然稳定运行。
  在通信设备领域,W631GU8MB15I 可用于路由器、交换机和基站设备中的缓存存储器,提升数据处理能力。此外,它也适用于测试仪器和医疗设备,用于存储测试数据或图像信息,确保设备运行的准确性和稳定性。
  由于其宽温度范围和可靠的性能,该芯片也非常适合用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统和远程信息处理设备。这些应用通常需要在极端温度环境下保持数据的完整性,而W631GU8MB15I 正好能够满足这些需求。

替代型号

W631GU8MB15E, W631GU8MB15A, W631GU8MB15

W631GU8MB15I推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W631GU8MB15I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)