容量：1Gb
　　组织结构：x8/x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms

W631GG8NB09I 芯片具有多种高性能特性，包括低功耗设计和宽电压工作范围（2.3V 至 3.6V），这使其能够在多种电源环境下稳定运行。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，从而降低系统功耗并提高可靠性。此外，该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在严苛的工业环境中使用。
　　在性能方面，W631GG8NB09I 支持高达 166MHz 的数据速率和 5.4ns 的访问时间，能够满足高速数据存取的需求。其 TSOP 封装形式不仅有助于提高散热性能，还能节省 PCB 板上的空间，适合紧凑型设计。此外，该芯片支持 x8 和 x16 两种数据宽度配置，提高了其在不同应用中的灵活性。
　　为了确保长期使用的稳定性，W631GG8NB09I 经过严格的测试和验证，符合 RoHS 环保标准，并且在 EMI（电磁干扰）控制方面表现出色。其内置的错误检测和纠正机制进一步增强了数据的完整性和系统的稳定性，适用于对可靠性要求较高的工业和通信设备。

W631GG8NB09I 被广泛应用于各种需要高性能存储的设备中，包括但不限于工业控制设备、通信基站、网络路由器、视频监控设备、手持终端和消费类电子产品。其低功耗和宽电压设计使其在电池供电设备中表现出色，而高数据速率和灵活的数据宽度配置则使其能够适应不同的系统架构需求。此外，该芯片的高稳定性和可靠性也使其成为汽车电子和航空航天等高端应用的理想选择。

W631GG8NB-9G, W631GG8NB09G, W631GG8NB10I