L2SC3356LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该器件采用 SOT-23 小型封装,具有低噪声和高增益的特性,适合在无线通信、射频模块以及音频设备中使用。
该晶体管适用于需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景,广泛应用于消费电子、工业控制及通信领域。
集电极-发射极电压:40V
集电极电流:200mA
直流电流增益(hFE):275(最小值)
特征频率(fT):1.5GHz
最大耗散功率:340mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
L2SC3356LT1G 拥有以下关键特性:
1. 高增益性能,适合用于信号放大的场景。
2.5GHz,支持高频应用。
3. 超小型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
4. 低噪声设计,优化了其在敏感电路中的表现。
5. 宽广的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
这款晶体管适用于多种电子应用,包括但不限于:
1. 射频放大器和混频器。
2. 无线通信模块中的信号处理。
3. 音频设备中的前置放大器。
4. 开关电源和脉宽调制(PWM)控制器。
5. 各种消费类电子产品中的信号调节和传输电路。
6. 工业自动化中的传感器接口电路。
L2SC3356LV1G, L2SC3356LV1R, BC847C