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W631GG8MB12I TR 发布时间 时间:2025/8/21 1:18:41 查看 阅读:4

W631GG8MB12I TR 是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器(Serial Flash Memory),主要用于嵌入式系统和消费类电子设备中,提供大容量的非易失性存储解决方案。该型号属于Qspi NOR Flash系列,适用于代码存储、数据存储以及执行就地(XIP)操作。W631GG8MB12I TR采用小型封装,适合空间受限的应用场景,具备高性能和低功耗的特性。

参数

容量:1Gb(128MB)
  电压范围:2.3V - 3.6V
  接口:SPI / QPI
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装:12mm x 8mm, 48-pin TSOP
  读取频率:120MHz

特性

W631GG8MB12I TR具备多项先进的技术特性,使其在各类嵌入式系统中表现出色。首先,其1Gb的容量能够满足大多数高端应用的需求,例如固件存储、图形数据存储和实时系统日志记录等。该芯片支持标准SPI接口以及QPI(Quad Peripheral Interface),提供高速数据传输能力,最高可达120MHz,显著提升系统性能。
  在电源管理方面,W631GG8MB12I TR支持宽电压范围(2.3V至3.6V),确保其在不同电源条件下都能稳定运行,适合电池供电设备和低功耗应用场景。此外,该器件内置高性能的擦写控制电路,支持快速页面编程和扇区擦除功能,提高写入效率并延长芯片使用寿命。
  W631GG8MB12I TR还支持XIP(eXecute In Place)功能,允许系统直接从Flash中执行代码,而无需将代码加载到RAM中,从而减少系统延迟和硬件成本。同时,该芯片具备良好的耐久性和数据保持能力,擦写次数可达10万次以上,数据保存时间长达20年。

应用

W631GG8MB12I TR广泛应用于各种嵌入式系统和智能设备中,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家居控制器、车载导航系统、工业控制设备以及物联网(IoT)终端。由于其高容量、高速接口和低功耗设计,该芯片特别适合需要大量代码存储和快速启动的应用场景。
  在消费电子领域,W631GG8MB12I TR可用于存储操作系统引导代码、应用程序、图形界面资源以及用户配置数据。在工业和车载应用中,其宽温工作范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。此外,该芯片也常用于无线模块、Wi-Fi路由器、智能电表和安防监控设备中,提供可靠的数据存储和代码执行支持。

替代型号

W25Q128JV, MX25U12355, S25FL128S

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W631GG8MB12I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)