时间：2025/12/23 16:34:57
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TESDN051BD82是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率管理的场景中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
这款MOSFET的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它非常适合用于大电流应用场合，同时其出色的热性能也确保了在高负载条件下的稳定运行。此外，TESDN051BD82还具备良好的抗静电能力（ESD保护）以及较高的雪崩击穿能量承受能力。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：42A
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：79nC
总电荷：130nC
反向恢复时间：15ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用，适用于开关电源和DC-DC转换器。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强器件在异常情况下的可靠性。
4. 优化的热阻性能，能够在高温环境下保持稳定运行。
5. 提供卓越的电气性能和耐用性，适用于工业级和汽车级应用。
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器及逆变器设计。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 高效能电池管理系统中的充放电控制组件。
6. 工业自动化设备中的功率模块。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500
IXFH40N06P
