HY27UV08AG5M 时间：2025/9/1 16:49:20 阅读：7

HY27UV08AG5M 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，主要用于嵌入式系统、固态存储设备以及消费类电子产品中。这款芯片采用8位并行接口设计，具备较高的存储密度和稳定性，适用于需要可靠数据存储的应用场景。

参数

型号：HY27UV08AG5M
　　容量：128MB（1Gb）
　　电压：2.7V - 3.6V
　　封装：TSOP
　　接口：8位 NAND 并行接口
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　数据读取时间：最大 50ns
　　页大小：512 字节 + 16 字节（备用区）
　　块大小：32 页/块（每块16KB + 608B）
　　擦写次数：10万次以上
　　

特性

HY27UV08AG5M 是一款高性能的NAND闪存芯片，采用CMOS工艺制造，具备低功耗和高可靠性的特点。其接口为标准的8位NAND接口，支持高速数据读写操作，适用于各种嵌入式系统应用。芯片内置错误检测与纠正机制，可有效提升数据存储的可靠性。其工作电压范围为2.7V至3.6V，适应不同电源设计需求。此外，该芯片支持页编程（Page Program）和块擦除（Block Erase）操作，具备良好的擦写寿命，可支持超过10万次的擦写周期，延长了产品的使用寿命。HY27UV08AG5M 还具备较强的抗干扰能力和稳定性，能够在宽温范围内（-40°C至+85°C）正常工作，适合工业级环境应用。
　　该芯片的存储结构采用页和块的层级管理方式，每页大小为512字节加16字节的备用区（spare area），用于存储ECC校验信息或文件系统元数据。每个块由32页组成，总容量为16KB（主区）加608字节（备用区），这种结构设计使得数据管理更加高效，适用于需要频繁读写操作的应用。此外，HY27UV08AG5M 支持坏块管理，允许系统在出厂时或使用过程中标记不可靠的存储块，从而提升整体存储系统的可靠性。

应用

HY27UV08AG5M 主要应用于需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统，如机顶盒、数码相框、便携式媒体播放器、工业控制设备以及老一代的固态存储卡等。其8位并行接口设计使其适用于传统的嵌入式主控方案，尤其适合对成本敏感但对可靠性有一定要求的设计场景。由于其宽温范围支持和高擦写寿命，该芯片也广泛用于工业自动化、车载设备和智能家电等环境较为严苛的场合。此外，该芯片还可作为引导存储器（Boot Memory）使用，用于存储启动代码和固件程序，广泛应用于嵌入式Linux系统和小型操作系统启动方案中。