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W631GG8MB-12 发布时间 时间:2025/8/21 3:06:51 查看 阅读:18

W631GG8MB-12 是一款由 Winbond(华邦电子)制造的 NAND Flash 存储器芯片。这款芯片主要用于嵌入式系统、移动设备、存储卡以及其他需要非易失性存储解决方案的应用中。W631GG8MB-12 具有较大的存储容量和较高的数据读写速度,适用于需要频繁存储和读取数据的场景。

参数

容量:1GB(Gigabit)
  接口类型:ONFI 1.0兼容接口
  电源电压:2.7V - 3.6V
  读取速度:最大可达 25MB/s
  写入速度:最大可达 20MB/s
  擦除时间:块擦除时间约为 2ms
  数据保持时间:10年
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装尺寸:52引脚 TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

W631GG8MB-12 NAND Flash 存储器具有多个显著特性,使其适用于各种高性能存储应用。首先,该芯片具备高存储密度,1GB 的容量可以满足大多数嵌入式设备和便携式电子产品对存储空间的需求。其次,该芯片支持高速数据读写操作,读取速度最高可达 25MB/s,写入速度最高可达 20MB/s,适合需要快速访问数据的应用场景。
  此外,W631GG8MB-12 采用 ONFI 1.0 兼容接口,与各种主控器和存储控制器兼容性强,简化了系统设计和集成过程。其电源电压范围为 2.7V 至 3.6V,使得该芯片能够适应不同的电源供应环境,提高了系统的稳定性和可靠性。

应用

W631GG8MB-12 主要应用于嵌入式系统,如智能卡、POS 终端、工业控制设备等。它还广泛用于便携式消费电子产品,如 MP3 播放器、数码相机、USB 闪存盘以及低成本的平板电脑和智能手机。由于其高容量和高速特性,该芯片也适用于需要频繁读写数据的设备,例如数据记录仪和固态存储设备(SSD)。此外,该芯片还可用于汽车电子系统、医疗设备和物联网(IoT)设备中,提供可靠的非易失性存储解决方案。

替代型号

W29N01GV-12

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W631GG8MB-12参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)