W631GG8MB-11 TR 是一款由 Winbond 公司生产的串行 NOR 闪存芯片,广泛应用于需要高可靠性和高性能的嵌入式系统中。该型号的闪存支持多种标准和高速接口,适合用于代码存储和数据存储。其封装形式为小型的 8 引脚 WDFN(W631GG8MB)封装,适合在空间受限的应用中使用。
类型: NOR 闪存
容量: 128 Mbit(16 MB)
电压范围: 2.7V - 3.6V
接口: SPI(支持单线、双线、四线 SPI)
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
封装类型: 8 引脚 WDFN
时钟频率: 最高可达 133 MHz
擦除块大小: 支持 4KB、32KB、64KB 块擦除
写保护: 支持硬件和软件写保护
JEDEC 标准: 支持 JEDEC JESD21-C 标准
W631GG8MB-11 TR 以其高性能和高可靠性著称。它支持多种擦除块大小,包括 4KB 的小块擦除,非常适合需要灵活存储管理的应用。该芯片的 SPI 接口支持高速读写操作,最高可达 133 MHz,能够满足高性能嵌入式系统的需求。此外,它还提供硬件和软件写保护功能,防止意外写入或擦除操作,从而提高数据安全性。该器件采用小型的 8 引脚 WDFN 封装,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其宽电压范围(2.7V 至 3.6V)使其能够适应不同的电源环境,确保在不同应用场景下的稳定运行。该芯片还符合 RoHS 标准,适合环保型电子产品设计。
该芯片常用于需要高可靠性和高速访问的嵌入式系统,例如工业控制系统、消费电子产品(如智能手机、平板电脑)、通信设备、汽车电子模块以及医疗设备。由于其小封装和低功耗特性,也适合用于物联网(IoT)设备和可穿戴电子产品中。
W25Q128JV-11 TR, MX25L12835F TR, S25FL128L TR