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W631GG8MB-11 TR 发布时间 时间:2025/8/21 2:31:15 查看 阅读:8

W631GG8MB-11 TR 是一款由 Winbond 公司生产的串行 NOR 闪存芯片,广泛应用于需要高可靠性和高性能的嵌入式系统中。该型号的闪存支持多种标准和高速接口,适合用于代码存储和数据存储。其封装形式为小型的 8 引脚 WDFN(W631GG8MB)封装,适合在空间受限的应用中使用。

参数

类型: NOR 闪存
  容量: 128 Mbit(16 MB)
  电压范围: 2.7V - 3.6V
  接口: SPI(支持单线、双线、四线 SPI)
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  封装类型: 8 引脚 WDFN
  时钟频率: 最高可达 133 MHz
  擦除块大小: 支持 4KB、32KB、64KB 块擦除
  写保护: 支持硬件和软件写保护
  JEDEC 标准: 支持 JEDEC JESD21-C 标准

特性

W631GG8MB-11 TR 以其高性能和高可靠性著称。它支持多种擦除块大小,包括 4KB 的小块擦除,非常适合需要灵活存储管理的应用。该芯片的 SPI 接口支持高速读写操作,最高可达 133 MHz,能够满足高性能嵌入式系统的需求。此外,它还提供硬件和软件写保护功能,防止意外写入或擦除操作,从而提高数据安全性。该器件采用小型的 8 引脚 WDFN 封装,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其宽电压范围(2.7V 至 3.6V)使其能够适应不同的电源环境,确保在不同应用场景下的稳定运行。该芯片还符合 RoHS 标准,适合环保型电子产品设计。

应用

该芯片常用于需要高可靠性和高速访问的嵌入式系统,例如工业控制系统、消费电子产品(如智能手机、平板电脑)、通信设备、汽车电子模块以及医疗设备。由于其小封装和低功耗特性,也适合用于物联网(IoT)设备和可穿戴电子产品中。

替代型号

W25Q128JV-11 TR, MX25L12835F TR, S25FL128L TR

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W631GG8MB-11 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)