工作电压范围：3V至32V
　　静态输入偏置电流：0.5nA
　　静态输入偏置电压：2mV
　　静态输入偏移电流：20nA
　　大电流输出：20mA
　　工作温度范围：-40℃至+105℃
　　输入电压范围：-0.3V至VCC+0.3V
　　工作电流：0.7mA
　　增益带宽积：1.3MHz
　　输出短路电流：36mA
　　封装形式：SOIC-8

输入电压范围广泛
　　LM2904DR的输入电压范围为-0.3V至VCC+0.3V，可以适应多种输入信号。同时，它的输入阻抗较高，可以减小对输入信号的干扰，提高信号质量。
　　低功耗
　　LM2904DR的工作电流仅为0.7mA，具有较低的功耗，可以节约电源能量。同时，它的低功耗特性也有利于减少散热问题，提高系统稳定性。
　　高增益带宽积
　　LM2904DR的增益带宽积为1.3MHz，具有较高的放大能力。它可以在高频率下工作，适用于多种信号放大和滤波应用。
　　高输出电流能力
　　LM2904DR的大电流输出为20mA，具有较高的驱动能力。它可以驱动多种负载，如电阻、电容和电感等元件。同时，它的输出阻抗较低，可以减小输出信号的失真和干扰。
　　过载保护功能
　　LM2904DR具有过载保护功能，当输出电流超过额定值时，它会自动降低输出电压，以保护电路和负载。这一特性有助于提高系统的可靠性和稳定性。
　　小封装形式
　　LM2904DR的封装形式为SOIC-8，具有小轮廓集成电路的优点。它可以与其他电路集成，节省空间和成本。同时，它的引脚布局合理，易于焊接和组装。

LM2904DR采用CMOS工艺流程生产，具有低功耗、高集成度和高可靠性等特点。CMOS工艺流程可以实现多晶硅技术，制造出高性能的半导体器件。
　　具体工艺流程如下：
　　晶圆制备：通过化学气相沉积（CVD）将多晶硅沉积在单晶硅片上，制备出晶圆。
　　光刻：使用光刻机将芯片的电路图案转移到晶圆上。
　　电子束刻蚀：使用电子束刻蚀机将光刻图案转移到晶圆上，形成电路。
　　氧化：对芯片进行氧化处理，形成绝缘层。
　　金属沉积：将金属沉积在芯片表面，形成导线、电极等。
　　清洗：将芯片进行清洗和检测，去除残留物和缺陷。
　　封装：将芯片进行封装，形成成品。

音频放大
　　可用于音频放大电路中，它的低噪声、低失真和高增益带宽积等特点可以提高音频信号的质量和清晰度。
　　信号放大
　　可用于多种信号放大电路中，如传感器信号放大、放大器前置放大等。它的高增益带宽积和低噪声特性可以提高信号的灵敏度和准确性。
　　比较器
　　可用作比较器，它的输入阻抗高、输出阻抗低，可以快速响应输入信号变化，实现高精度比较。
　　振荡器
　　可用作振荡器的关键部件，它的高增益带宽积和稳定性可以保证振荡器的频率和稳定性。
　　过滤器
　　可用于多种过滤器电路中，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。它的高增益带宽积和低失真特性可以保证过滤器的效果和质量。

功能电源电压不得超过36V，输入电压不得超过V+和V-的电压范围。
　　在使用时，应注意静电保护，避免人体静电对芯片的损坏。
　　在连接芯片时，应注意连接正确的引脚，避免连接错误引起短路或其他问题。
　　在使用时，应根据芯片的数据手册，合理选择电阻和电容等元器件，以达到最佳的电路性能。
　　在工作时，应注意芯片的最大功率规格，防止过热和损坏。
　　在使用时，应避免过度震动和机械冲击，避免芯片损坏或失效。
　　如果需要长时间使用，应注意散热和温度，避免过热损坏芯片。