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W631GG8KB-15 发布时间 时间:2025/8/21 10:11:37 查看 阅读:6

W631GG8KB-15是一款由Winbond(华邦电子)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高速存储器的电子设备中。这款芯片的容量为128MB,工作电压为1.8V至3.3V,适用于多种应用场景,包括工业控制、消费电子和通信设备等。W631GG8KB-15采用了先进的制造工艺,确保了其在高频率下的稳定性和可靠性。

参数

容量:128MB
  工作电压:1.8V - 3.3V
  数据速率:166MHz
  封装类型:TSOP
  数据宽度:16位
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

W631GG8KB-15具备高性能和低功耗的特点,使其在多种应用中表现出色。其166MHz的数据速率确保了快速的数据访问,适用于需要高速处理的应用场景。此外,该芯片的低功耗设计有助于延长电池供电设备的使用寿命,减少能源消耗。W631GG8KB-15还具备良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作,适合工业环境中的严苛要求。其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性,确保了芯片在长时间运行中的可靠性。此外,该芯片的16位数据宽度设计使其能够处理大量数据,满足复杂应用的需求。

应用

W631GG8KB-15常用于需要高性能存储解决方案的设备,如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品。在嵌入式系统中,它可以作为主存储器使用,提供快速的数据访问和处理能力。在工业控制设备中,W631GG8KB-15能够确保设备在高负载下的稳定运行。在通信设备中,该芯片可以支持高速数据传输,提高设备的整体性能。此外,它还适用于需要低功耗和高可靠性的便携式设备,如平板电脑和智能穿戴设备。

替代型号

W631GG8KB-15的替代型号包括W631GG8KB-12和W631GG8KB-18。

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W631GG8KB-15参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-WBGA(10.5x8)