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PCDS125BMT470 发布时间 时间:2025/12/26 3:29:51 查看 阅读:12

PCDS125BMT470是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode)阵列,专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件(如静电放电、雷击感应和电感负载切换)的影响而设计。该器件采用紧凑的SMA(DO-214AC)封装,适用于空间受限的高密度电路板布局。PCDS125BMT470集成了多个TVS二极管,能够同时提供多线路保护,常用于高速数据接口、通信端口和电源线路的浪涌保护。其快速响应时间(通常在皮秒级)使其能够在瞬态过压事件发生的瞬间迅速钳位电压,将多余能量分流至地,从而防止下游集成电路受到损坏。该器件符合RoHS和无卤素要求,适合现代环保型电子产品制造。此外,它还通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容性标准测试,确保在严苛环境下的可靠运行。

参数

类型:双向TVS二极管阵列
  封装形式:SMA(DO-214AC)
  反向工作电压(VRWM):47V
  击穿电压(VBR):最小52.2V,典型值55V
  最大钳位电压(VC):73.3V(在IPP = 1.8A条件下)
  峰值脉冲电流(IPP):1.8A(根据8/20μs波形)
  峰值脉冲功率(PPP):125W(8/20μs电流波形)
  漏电流(IR):最大10μA
  通道数量:单通道
  极性:双向
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PCDS125BMT470具备出色的瞬态抑制能力,能够在短时间内吸收高达125W的峰值脉冲功率,有效应对ESD(静电放电)和EFT(电快速瞬变脉冲群)等瞬态干扰。其双向结构设计使其适用于交流信号线路或可能经历正负向过压的场合,无需考虑极性连接问题,简化了PCB布局与装配流程。该TVS二极管具有极低的动态电阻,能够在过压发生时迅速降低钳位电压,减少对被保护电路的压力。由于采用硅雪崩技术,器件在击穿区域表现出稳定的电压控制特性,避免了电压骤升导致的二次损伤。
  此外,PCDS125BMT470的小型SMA封装不仅节省空间,还具备良好的热传导性能,有助于在多次瞬态事件中保持稳定工作。其低电容特性(典型值小于15pF)确保了在高频信号传输中的最小信号失真,因此非常适合用于USB、RS-232、RS-485、CAN总线等高速通信接口的保护。器件的高可靠性体现在其经过严格的老化筛选和高温反偏(HTRB)测试,确保长期使用中的稳定性。在整个生命周期内,其电气性能变化极小,能够在恶劣工业环境、汽车电子系统以及消费类电子产品中长期服役而不失效。

应用

PCDS125BMT470广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中,尤其适合用于工业控制设备、通信模块、汽车电子接口、家用电器和便携式电子设备。在工业自动化领域,它常被用于PLC输入输出端口、传感器接口和现场总线(如Profibus、CAN)的浪涌防护;在汽车电子中,可用于车载娱乐系统、ECU通信线路和充电接口的ESD保护;在消费类电子产品中,常见于打印机、扫描仪、网络路由器和智能家居控制面板的数据线保护。此外,由于其符合多项国际EMC标准,该器件也适用于出口导向型产品,以满足不同国家和地区的电磁兼容认证要求。对于设计工程师而言,PCDS125BMT470提供了一种高效、可靠且易于集成的解决方案,用以提升系统整体的抗干扰能力和使用寿命。

替代型号

SMBJ47CA

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