容量：1Gbit
　　组织结构：x8位
　　接口类型：PSRAM接口
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：15ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54-ball TSOP
　　时钟频率：最大支持约166MHz
　　封装引脚数：54-pin
　　工作模式：异步模式

W631GG8KB-15 TR 的主要特性之一是其伪静态随机存取存储器（PSRAM）架构，它结合了动态RAM（DRAM）的高密度优势和静态RAM（SRAM）的易用性。芯片内部集成了刷新电路，使得外部控制器无需管理刷新操作，从而简化了系统设计。此外，它支持异步操作模式，适应多种嵌入式系统的时序需求。
　　该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，具有广泛的兼容性，适用于不同电压系统的嵌入式设备。工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级应用的严苛环境要求。
　　W631GG8KB-15 TR 的访问时间为15ns，最大可支持约166MHz的时钟频率，提供较高的数据传输速率，适合图像处理、图形缓存和数据缓冲等对性能有较高要求的应用。其54-ball TSOP封装形式也便于在空间受限的便携设备中使用，例如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备等。
　　另外，该器件具备较低的功耗特性，支持多种低功耗模式，如待机模式和深度掉电模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。

W631GG8KB-15 TR 广泛应用于需要大容量存储但对成本敏感的设计中，例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、工业控制设备、医疗设备、图形处理器缓存、视频缓冲器、嵌入式系统内存扩展等。其异步接口设计和宽电压支持，使其在各类嵌入式平台中具备良好的兼容性和灵活性。

A-1GS46A08A2BTR, AS45DB164A2B-TR