KF5N53DS-RTF/HS 时间：2025/12/28 15:21:09 阅读：15

KF5N53DS-RTF/HS是一款由Kexin Electronics制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率应用而设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器等多种高功率电子系统。KF5N53DS-RTF/HS采用先进的硅工艺制造，确保在高温和高电流条件下仍能保持稳定的性能。其封装形式为TO-252（D-PAK），便于散热并适合表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤35mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-252（D-PAK）

特性

KF5N53DS-RTF/HS具备多项优异特性，适用于高性能功率转换系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。典型值为35mΩ，使得在高电流条件下仍能保持较低的温升，从而提高整体可靠性。
　　其次，该MOSFET具有高电流承载能力，最大漏极电流可达50A，适用于需要高功率输出的应用场景，如电源适配器、电池管理系统和DC-DC转换器。
　　此外，KF5N53DS-RTF/HS具备良好的热稳定性，采用TO-252（D-PAK）封装，具有良好的散热性能，适用于高密度贴装设计。其最大功率耗散为100W，能够在高温环境下稳定工作。
　　器件的栅极驱动电压范围为0至+20V，支持常见的10V或12V驱动电路，兼容多种控制IC和驱动器，便于设计和应用。
　　最后，KF5N53DS-RTF/HS具有较高的耐用性和抗干扰能力，适用于工业自动化、汽车电子、新能源设备等复杂环境中的应用。

应用

KF5N53DS-RTF/HS广泛应用于各类高功率电子设备中。常见的应用包括：电源管理系统中的负载开关、同步整流器、DC-DC升压/降压转换器、电机驱动器以及电池充电与保护电路。该器件也可用于工业控制设备、LED照明系统、不间断电源（UPS）和光伏逆变器等高功率转换场合。由于其高效率和良好的热管理能力，KF5N53DS-RTF/HS在汽车电子系统中也得到广泛应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和48V轻混系统等。此外，在服务器电源、通信设备电源和消费类电子产品中也有一定的使用场景。