W631GG6MB12I TR是一款由Winbond公司制造的高性能、低功耗的NOR闪存芯片,适用于需要快速代码执行和可靠存储的应用场景。该芯片采用高性能的串行外设接口(SPI),支持多种高速传输模式,广泛用于嵌入式系统、工业控制、消费类电子产品以及通信设备中。
容量: 1Gb (128M x 8)
电压范围: 2.7V - 3.6V
接口类型: SPI (串行外设接口)
最大工作频率: 120MHz
读取速度: 120MHz
写入保护: 软件和硬件写保护
封装类型: 8-TSSOP
温度范围: -40°C 至 +85°C
工作电流(典型值): 10mA(读取模式)
待机电流(典型值): 10uA
W631GG6MB12I TR具备高性能和低功耗的特点,适用于电池供电和便携式设备。其SPI接口支持多种操作模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,显著提高了数据传输速率。该芯片内置高可靠性存储单元,支持超过10万次擦写周期,并具有20年数据保持能力。此外,它提供灵活的块擦除选项,包括4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除以及全片擦除功能,便于用户进行数据管理。芯片还具备硬件写保护引脚(/WP),可防止意外写入或擦除操作,增强系统稳定性。同时,它符合工业级温度标准(-40°C至+85°C),适合在各种环境条件下使用。
该芯片广泛应用于工业自动化设备、嵌入式系统、手持设备、通信模块、汽车电子、消费类电子产品(如智能手表、穿戴设备)以及其他需要快速代码执行和高可靠性存储的场合。
W25Q128JVIMQ, S25FL128SAGMFI011, MX25U12355G