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W631GG6MB12I TR 发布时间 时间:2025/8/21 1:32:43 查看 阅读:5

W631GG6MB12I TR是一款由Winbond公司制造的高性能、低功耗的NOR闪存芯片,适用于需要快速代码执行和可靠存储的应用场景。该芯片采用高性能的串行外设接口(SPI),支持多种高速传输模式,广泛用于嵌入式系统、工业控制、消费类电子产品以及通信设备中。

参数

容量: 1Gb (128M x 8)
  电压范围: 2.7V - 3.6V
  接口类型: SPI (串行外设接口)
  最大工作频率: 120MHz
  读取速度: 120MHz
  写入保护: 软件和硬件写保护
  封装类型: 8-TSSOP
  温度范围: -40°C 至 +85°C
  工作电流(典型值): 10mA(读取模式)
  待机电流(典型值): 10uA

特性

W631GG6MB12I TR具备高性能和低功耗的特点,适用于电池供电和便携式设备。其SPI接口支持多种操作模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI,显著提高了数据传输速率。该芯片内置高可靠性存储单元,支持超过10万次擦写周期,并具有20年数据保持能力。此外,它提供灵活的块擦除选项,包括4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除以及全片擦除功能,便于用户进行数据管理。芯片还具备硬件写保护引脚(/WP),可防止意外写入或擦除操作,增强系统稳定性。同时,它符合工业级温度标准(-40°C至+85°C),适合在各种环境条件下使用。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化设备、嵌入式系统、手持设备、通信模块、汽车电子、消费类电子产品(如智能手表、穿戴设备)以及其他需要快速代码执行和高可靠性存储的场合。

替代型号

W25Q128JVIMQ, S25FL128SAGMFI011, MX25U12355G

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W631GG6MB12I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)