时间：2025/8/6 8:39:47
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IXFN170N25X3是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高功率N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件专为高效能电源转换应用而设计，具有低导通电阻、高电流能力和快速开关特性。该MOSFET采用TO-264封装，适用于工业电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等高功率场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：250V
最大漏极电流(Id)：170A
导通电阻(Rds(on))：最大值11.5mΩ（典型值约9.5mΩ）
栅极电荷(Qg)：约160nC
最大功耗(Pd)：约400W
工作温度范围：-55°C至175°C
IXFN170N25X3具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率，使其适用于高电流应用。
其高电流承载能力（高达170A）和耐高压（250V）特性，使其适用于多种功率转换器拓扑，如半桥、全桥和同步整流器。
该器件的快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统整体效率。
TO-264封装提供了良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上，适用于高功率密度设计。
该MOSFET具有良好的热稳定性和雪崩能量耐受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
IXFN170N25X3广泛应用于高功率电源系统，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动车充电系统。
它适用于各种类型的DC-DC转换器，包括升压（Boost）、降压（Buck）和全桥转换器，以实现高效的能量转换。
在电机控制和驱动系统中，该器件可作为主开关用于PWM控制，实现高精度和高效能操作。
此外，该MOSFET还可用于高频感应加热系统和高功率LED驱动器等应用领域。
IXFN180N25X3, IXFN160N25X3, IXFN170N25X3ST
