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W631GG6MB-11 发布时间 时间:2025/8/21 8:37:42 查看 阅读:7

W631GG6MB-11是一款由Winbond(华邦电子)制造的NOR Flash存储器芯片,广泛用于需要高速读取和可靠存储的应用场合。该型号的Flash存储器具备高性能和低功耗的特点,适用于嵌入式系统、工业控制、消费电子产品等多个领域。

参数

容量:1Gbit(128M x 8)
  电压:2.3V至3.6V
  接口类型:SPI(串行外设接口)
  最大时钟频率:104MHz
  读取模式:支持单线、双线和四线SPI模式
  封装类型:8引脚SOIC
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

W631GG6MB-11 NOR Flash芯片具备高性能和高可靠性,适用于需要快速访问和非易失性存储的场景。该芯片支持多种SPI模式,包括单线、双线和四线SPI,提供了更高的数据传输速率和灵活性。其104MHz的最高时钟频率使其能够在高频环境下稳定运行,满足高速读取需求。此外,芯片的电压范围为2.3V至3.6V,适应了多种电源环境,增强了其在不同应用中的兼容性。
  这款Flash存储器的封装形式为8引脚SOIC,适合空间受限的设计,并且具备宽工作温度范围(-40°C至+85°C),能够在恶劣环境中稳定运行。其非易失性存储特性确保数据在断电后仍然不会丢失,非常适合用于存储关键的系统代码和数据。W631GG6MB-11还具备低功耗设计,有助于延长电池供电设备的使用寿命。

应用

W631GG6MB-11常用于嵌入式系统中存储启动代码、固件和配置数据,如路由器、交换机和网络设备中的固件存储。此外,它也广泛应用于消费类电子产品(如智能电视、机顶盒)、工业控制系统、安防设备和物联网(IoT)设备中,为这些设备提供可靠的非易失性存储解决方案。

替代型号

W25Q128JV-104, MX25U12835F, S25FL128S

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W631GG6MB-11参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)