容量：64Mbit
　　组织结构：x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：54-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz
　　刷新周期：64ms

W583C0607H61 是一款高性能的CMOS SDRAM芯片，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片采用CMOS技术，能够在宽电压范围内稳定工作，适用于多种复杂环境。其x16的数据宽度支持并行数据传输，提高了整体数据吞吐能力。
　　该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，从而在低功耗模式下延长系统运行时间。此外，W583C0607H61 还具有良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于工业自动化、通信设备等对环境适应性要求较高的场合。
　　封装方面，W583C0607H61 采用54-pin TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在空间受限的PCB设计中使用。其高速访问时间（最大5.4ns）和高达166MHz的工作频率使其适用于需要快速数据处理的应用，如图像处理、嵌入式系统缓存等。

W583C0607H61 主要应用于需要大容量内存缓冲和高速数据处理的电子系统中。常见应用包括网络交换设备、通信模块、工业控制系统、嵌入式设备、图形加速器和消费类电子产品。由于其低功耗和高稳定性，它也常用于需要长时间运行的工业自动化设备和远程通信终端中。

W583C0607H61 的替代型号包括ISSI的IS42S16400J和Micron的MT48LC16M2A2B4-6A。