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W2L16D105MAT1A 发布时间 时间:2025/6/25 14:24:06 查看 阅读:4

W2L16D105MAT1A 是一款由 Winbond(华邦)生产的低漏电、高性能的 SRAM 存储芯片。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,具备快速存取速度和低功耗的特点。其主要用途包括需要高可靠性和实时数据处理的应用场景,例如工业控制、通信设备、消费电子以及嵌入式系统等。W2L16D105MAT1A 提供了稳定的运行性能和良好的兼容性,能够满足对存储器有严格要求的复杂系统设计。
  这款 SRAM 芯片采用了 48 引脚 TSOP II 封装形式,适合在紧凑型设计中使用,同时保证信号完整性和散热性能。

参数

类型:SRAM
  容量:16Mb (2M x 8)
  工作电压:1.7V 至 1.9V
  访问时间:5ns / 10ns
  接口:同步
  封装:TSOP II-48
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:48
  最大功耗:300mW

特性

W2L16D105MAT1A 具备以下关键特性:
  1. 极低的待机功耗,适合电池供电设备或低功耗应用场景。
  2. 高速访问能力,确保系统可以快速读写数据,提升整体性能。
  3. 稳定的工作电压范围,适应多种电源环境。
  4. 支持同步接口,便于与现代处理器和其他外设连接。
  5. 广泛的工作温度范围,使其适用于各种恶劣环境下的应用。
  6. 数据保持时间长,在断电情况下能有效保护重要信息。

应用

W2L16D105MAT1A 可广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化控制设备中的缓存和临时存储功能。
  2. 通信基础设施设备,如路由器、交换机及基站的数据缓冲。
  3. 嵌入式系统中的高速缓存,用于加速程序执行和数据处理。
  4. 医疗设备中的实时数据采集与分析。
  5. 消费类电子产品,例如数码相机、打印机和游戏机等,提供高效的存储支持。

替代型号

W2L16D105JAT1A, W2L16D105MAT1B

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W2L16D105MAT1A参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列IDC
  • 电容1.0µF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±20%
  • 温度系数X5R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 应用旁通,去耦
  • 额定值-
  • 封装/外壳0508(1220 公制)
  • 尺寸/尺寸0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"(0.95mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低 ESL 型(多端子)
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称478-2125-6