SEMIX302GB128DS6HDS 是英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款高性能功率模块,属于其 SEMiX 系列产品线。该模块基于 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 技术,设计用于高效率、高可靠性的电力电子应用。模块采用双封装设计(Dual Side Cooling, DSC),支持双面散热,有助于提高模块的热性能和运行效率。该模块广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备等领域。
类型:IGBT功率模块
制造商:英飞凌(Infineon)
系列:SEMiX 3
拓扑结构:三相桥式(Three-phase bridge)
额定集电极电流(IC):300A
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
IGBT芯片数量:6单元
封装类型:SEMiX DSC(双面冷却)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
热阻(Rth):约0.17 K/W(典型值)
安装方式:螺钉固定
绝缘等级:加强型绝缘
符合标准:RoHS、REACH、UL、IEC
SEMiX302GB128DS6HDS 模块采用了英飞凌先进的 IGBT4 芯片技术,具有低导通压降和低开关损耗的特点,能够有效提高系统的能效。模块采用双面冷却封装设计,显著降低了热阻,提升了散热效率,从而延长了模块的使用寿命。此外,该模块集成了先进的封装和互连技术,确保了高可靠性和稳定性。
模块内置的EMC(电磁兼容性)优化设计减少了外部滤波需求,简化了系统设计。其紧凑的结构和模块化设计也使得安装和维护更加便捷。SEMiX302GB128DS6HDS 支持多种冷却方式,包括风冷和液冷,适应不同的应用环境。
在电气性能方面,该模块具备高短路耐受能力,能够在高负载条件下稳定运行。其优化的芯片并联技术提高了电流均衡能力,增强了系统的整体稳定性。模块还支持快速更换和维修,适用于对可靠性要求较高的工业和能源系统。
SEMiX302GB128DS6HDS 主要用于高性能电力电子系统中,包括工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备、储能系统、电机驱动器等。其高效率和高可靠性的特点使其成为工业自动化、可再生能源、智能电网等领域的理想选择。
SEMiX302GB128DS6HDC、SEMiX304GB128DS6HDS、FS300R12W1T4_B11、SKM300GB128D