W29N01HZBINF是一款由Winbond公司生产的1Gb(128MB x 8)串行NAND闪存芯片,广泛应用于需要大容量存储和高可靠性的嵌入式系统中。该芯片采用SPI(Serial Peripheral Interface)接口,具备低功耗、高集成度和高性能的特点,适用于消费类电子、工业控制、网络设备和通信设备等领域。
容量:1Gb(128MB x 8)
接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
工作电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
封装类型:8引脚SOIC或8引脚WSON
最大读取速度:104MHz
页大小:2048字节 + 64字节(ECC)
块大小:128KB(128页/块)
擦写寿命:10万次
数据保持时间:10年
W29N01HZBINF串行NAND闪存芯片具备多项先进特性,包括支持ECC(错误校正码)功能,能够在读写过程中自动检测和纠正数据错误,提高数据存储的可靠性。该芯片支持多种SPI模式(Mode 0和Mode 3),可灵活适配不同主控设备的通信需求。其内置的坏块管理机制可以自动标记和跳过坏块,确保数据完整性。此外,该芯片具有低功耗设计,支持多种省电模式,包括深度睡眠模式,适用于电池供电设备。W29N01HZBINF还支持高速连续读取功能,提升系统整体性能。在安全性方面,该芯片提供硬件写保护、软件写保护和状态寄存器锁定功能,防止数据被意外擦除或写入。
W29N01HZBINF广泛应用于多种嵌入式系统中,如机顶盒、数字电视、智能卡、打印机、工业控制器、网络路由器和智能电表等设备。其高容量和高可靠性使其成为需要长期稳定运行的工业及通信设备的理想选择。
W25N01GVJSIQ、GD5F1GQ4UCYIG、MT29F1G01ABBBWB