容量：256K位（32K x 8）
　　组织方式：32K地址，每个地址8位（字节）
　　访问时间：10ns
　　工作电压：3.3V或5V兼容
　　封装类型：48引脚TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大读取电流：100mA（典型值）
　　待机电流：10mA（最大）

W27F256P-10 是一款高性能的异步静态RAM，具备出色的存取速度和可靠性。其10ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时数据处理应用。该芯片采用CMOS技术，不仅提供高速性能，而且在待机模式下功耗极低，非常适合电池供电或对功耗敏感的设备。此外，该SRAM具有宽电压范围（3.3V至5V）兼容性，提高了在不同系统中的适用性。
　　W27F256P-10 的设计还包括双向数据总线和独立的片选信号（CE 和 CE2），允许灵活的系统集成和地址解码。其地址和数据引脚均采用标准TTL电平，简化了与微处理器和外围控制器的接口设计。芯片内置的地址缓冲器和数据锁存器确保了在高频操作下的稳定性。
　　另外，该SRAM具有高抗噪能力和可靠的读写性能，在各种工作条件下均能保持数据完整性。其封装形式为48引脚TSOP，体积小巧，适合紧凑型电路板布局。此外，W27F256P-10 还支持自动省电模式，进一步延长了便携设备的电池寿命。

W27F256P-10 广泛应用于需要高速、低功耗和可靠存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络设备、工业控制设备、通信模块、消费电子产品（如数码相机和便携式游戏机）、数据采集系统以及需要临时数据存储的微控制器系统。由于其高速存取能力，它也常用于缓存和实时数据缓冲，例如在图像处理和音频处理设备中。此外，该芯片适用于需要频繁读写操作的场景，如打印机缓冲器、测量仪器和智能卡读写器等。

CY62256NLL-55SC、IS62C256AL-10TL、HM62256BLP-10、AS6C256-10TIN、EM636256T-10LL