时间：2025/8/21 11:49:07
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W27E257-12 是一款由 Winbond 公司生产的 256 Kbit（32 K × 8）CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用高速CMOS技术制造，提供高性能和低功耗特性，适用于需要快速访问和数据保持稳定的应用场景。W27E257-12 的访问时间仅为12 ns，能够满足高速系统设计的需求。该SRAM具有异步操作功能，控制信号包括片选（CS）、输出使能（OE）和写使能（WE），便于与多种微处理器和控制器接口连接。W27E257-12 提供多种封装形式，包括常见的28引脚DIP和SOIC封装，方便用户根据实际需求进行选择和应用。
类型：静态随机存取存储器 (SRAM)
容量：256 Kbit (32 K × 8)
访问时间：12 ns
电源电压：4.5V 至 5.5V
工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
封装形式：28引脚 DIP、28引脚 SOIC
接口类型：并行（地址线 A0–A14，数据线 I/O0–I/O7）
控制信号：CS（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）
W27E257-12 是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），专为需要快速数据访问和可靠存储的应用而设计。其高速访问时间为12 ns，确保了在高频操作下的稳定性能，适用于通信设备、工业控制、嵌入式系统以及测试设备等高速系统。器件采用标准的并行接口设计，支持全地址和数据总线操作，方便与多种微处理器和控制器进行无缝连接。此外，W27E257-12 工作电压范围为4.5V至5.5V，具备较强的电源适应性，可在不同供电环境下稳定运行。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用，如自动化控制、车载系统和户外通信设备。该器件的封装形式包括28引脚 DIP 和 SOIC，便于在不同电路板布局中灵活使用，满足从原型开发到批量生产的需求。
W27E257-12 适用于多种需要高速数据存储和访问的应用场景，如嵌入式系统的缓存存储、工业控制设备的数据缓冲、通信模块的临时存储、测试仪器的数据记录等。其异步SRAM架构使其易于集成到基于微处理器或微控制器的系统中，广泛应用于自动化设备、数据采集系统、显示控制器以及医疗设备等领域。
W27C257-12, CY62257BLL-12, IDT71256SA12D
