时间：2025/4/24 16:08:49
阅读：8
PL15N10G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，适合用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。
PL15N10G 的最大工作电压为 100V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其紧凑的封装设计使得它在空间受限的应用中非常实用。
最大漏源极电压（Vds）：100V
最大栅源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.07Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：36W
结温范围（Tj）：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 高击穿电压（100V），确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻（0.07Ω），减少导通损耗，提高整体系统效率。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 较高的连续漏极电流（15A），支持大负载需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际规范。
6. 热稳定性强，能够在高温环境下长期工作。
7. 可靠性高，经过严格的质量测试。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器及电压调节模块。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池保护和负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的各种功率控制单元。
7. LED 驱动器和其他照明应用。
IRF540N, FQP17N10, STP15NF06
