时间：2025/8/21 11:27:46
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W27E040P-12是一款由Winbond公司生产的4M位（512K x 8）高速静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能CMOS技术制造，适用于需要快速访问和低功耗的应用场景。该器件具有高速访问时间（最大为12ns），适用于高性能计算、工业控制、网络设备和通信系统等场合。
容量：4Mbit（512K x 8）
访问时间：12ns最大
电源电压：3.3V或5V兼容
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
输入/输出电平：TTL兼容
封装引脚数：52引脚
W27E040P-12采用高性能CMOS工艺制造，具备低功耗和高速访问能力。其12ns的访问时间确保了在高频系统中的稳定运行，适合对时序要求严格的应用。该SRAM具备双向数据总线和三态输出，支持高效的数据传输和系统集成。此外，其TTL兼容接口简化了与多种控制器和处理器的连接。该芯片还具有高可靠性，适用于工业和通信设备的长期运行。
在功耗方面，W27E040P-12在待机模式下电流消耗极低，有助于节能设计。同时，其宽温度范围支持在恶劣环境下的稳定工作，适用于嵌入式系统、网络设备、路由器、存储控制器等应用场景。
W27E040P-12广泛应用于高性能计算设备、工业控制系统、网络路由器与交换机、通信模块、嵌入式系统以及需要快速存储访问的电子设备中。由于其高速性能和低功耗特性，该SRAM也常用于数据缓存、临时存储和高速缓冲存储器（Cache）设计。
W27E040P-10, CY62148EVLL-12ZE3, IDT71V416SA12PFG, IS61LV256AL-12T
