类型：N 沟道
　　漏源电压 (Vds)：30 V
　　栅源电压 (Vgs)：±20 V
　　连续漏极电流 (Id)：5.8 A @ 100°C
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 40 mΩ @ Vgs = 10 V
　　功耗 (Pd)：2.6 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TSSOP

SI2307DS-E3 的主要特点之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在 VGS 为 10V 的条件下，RDS(ON) 最大值仅为 40mΩ，这对于要求高性能的功率应用来说是非常理想的。此外，该器件支持高达 5.8A 的连续漏极电流，使其能够处理相对较高的负载。
　　 它还具备良好的热性能，采用 TSSOP 封装形式，具有较小的体积和良好的散热能力，适合高密度 PCB 设计。由于其额定栅极电压可达 ±20V，SI2307DS-E3 可以兼容多种驱动电路设计，并且内置了一定程度的过压保护功能。
　　 该 MOSFET 在制造上采用了先进的沟槽技术，从而实现了优异的开关性能，包括较低的开关损耗和快速响应时间。这使得它非常适合用于高频开关应用，如 DC/DC 转换器、同步整流以及电机控制等场景。此外，该器件的工作温度范围宽广（从 -55°C 到 +150°C），可在严苛环境下稳定运行，因此也被广泛应用于工业级电子设备。

SI2307DS-E3 常用于各类电源管理系统中，特别是在需要高效能、小型化解决方案的设计中表现突出。典型应用包括便携式电子产品中的电池管理、DC/DC 转换器、负载开关、马达驱动器、LED 驱动电路以及各种类型的功率控制模块。此外，它也适用于通信设备、计算机主板以及消费类电子产品中的电源转换部分。
　　 在现代电源设计中，该器件经常被用来替代传统的双极晶体管或更高 RDS(ON) 的 MOSFET，以实现更高的效率和更小的尺寸。例如，在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，SI2307DS-E3 可用作主电源开关或充电管理电路的一部分。同时，它也广泛用于工业自动化设备中的电机控制和传感器供电系统。

Si2307, IRM2307, FDS6680, AO3400