您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W25Q80JVSNIQ TR

W25Q80JVSNIQ TR 发布时间 时间:2025/8/21 1:59:37 查看 阅读:5

W25Q80JVSNIQ TR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,属于其 W25Q 系列产品之一。该芯片采用 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,具有快速读写能力和高可靠性,广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中。W25Q80JV 的存储容量为 8 Mbit(1 MB),支持多种读写模式,包括标准、双输出、双输入输出和四输入输出模式,从而提高数据传输效率。该芯片的封装形式为 8 引脚 SOIC,适用于工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种工作环境下的稳定运行。

参数

容量:8 Mbit
  电压范围:1.65V 至 3.6V
  接口类型:SPI
  最大时钟频率:80 MHz
  封装类型:8-SOIC
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储结构:128K × 8 位
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB 和全片擦除
  写入保护功能:软件和硬件写保护
  工作电流:典型值 5 mA(读取时)
  待机电流:典型值 10 μA

特性

W25Q80JVSNIQ TR 的主要特性之一是其支持多种读写模式,包括标准 SPI、双输出(Dual Output)、双输入输出(Dual I/O)、四输入输出(Quad I/O)等模式,这些模式可以显著提高数据传输速度。此外,该芯片支持高速读取,最大时钟频率可达 80 MHz,适用于对数据访问速度有较高要求的应用场景。
  该芯片具备灵活的擦除功能,支持 4KB、32KB、64KB 和全片擦除操作,允许用户根据需求进行精确的数据管理。芯片内部集成写入保护机制,包括软件写保护和硬件写保护(通过 WP 引脚),可有效防止意外数据写入或擦除,提高数据安全性。
  低功耗设计是该芯片的另一大优势。在正常读取模式下,工作电流仅为 5 mA,而在待机模式下,电流可低至 10 μA,适合电池供电设备或对功耗敏感的应用。此外,芯片内置状态寄存器,用户可通过读取状态寄存器了解芯片当前的工作状态,如写入使能锁、块保护状态、写入保护状态等信息。
  为了确保数据的可靠性,W25Q80JVSNIQ TR 还支持错误检测和纠正功能,能够有效检测并纠正读取过程中可能出现的错误。同时,该芯片具有高耐久性,支持多达 100,000 次擦写循环,确保长期稳定运行。

应用

W25Q80JVSNIQ TR 广泛应用于需要非易失性存储器的各种嵌入式系统中。常见应用包括微控制器的程序存储器,用于存储固件或启动代码,例如在消费电子设备(如智能手表、智能音箱)和工业控制设备中。该芯片还可用于数据存储,例如在传感器网络中存储测量数据或日志信息。
  由于其低功耗特性和多种读写模式,W25Q80JVSNIQ TR 非常适合用于物联网(IoT)设备,如智能家居设备、无线传感器节点等。此外,该芯片也可用于通信设备,如路由器、交换机和无线模块,用于存储配置数据或固件更新。
  在汽车电子领域,W25Q80JVSNIQ TR 可用于存储车载导航系统的地图数据、车载娱乐系统的音频或视频文件。其工业级温度范围确保在恶劣的汽车环境中稳定运行。此外,该芯片还适用于安防设备,如监控摄像头和门禁系统,用于存储视频数据或用户权限信息。

替代型号

W25Q80JVSNIM TR
  W25Q80JVSSNIQ TR
  W25Q80EVSNIM TR

W25Q80JVSNIQ TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W25Q80JVSNIQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC