容量：8Mbit (1MB)
　　接口：SPI
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　最大时钟频率：80MHz
　　封装类型：8-lead SOIC
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储器类型：非易失性存储器
　　读取速度：120MHz
　　写入速度：30MHz
　　擦除时间：1秒（典型值）
　　编程时间：0.5毫秒（典型值）

W25Q80DLSNIG TR具有多种特性，使其在各种应用中表现出色。首先，它的高性能SPI接口能够提供快速的读写操作，这对于需要快速访问存储数据的应用至关重要。其次，该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，使其能够在不同的电源条件下稳定工作。此外，它的工作温度范围广泛，从-40°C到+85°C，适用于工业级环境。
　　这款芯片还支持多种安全功能，包括软件和硬件写保护，能够防止意外的数据修改或擦除。此外，它内置了页编程和块擦除功能，允许用户对特定的数据块进行操作，从而提高了数据管理的灵活性和效率。
　　W25Q80DLSNIG TR的低功耗设计也使其适用于电池供电设备，能够在不使用时进入休眠模式以节省电力。其8-lead SOIC封装形式不仅节省空间，还简化了PCB布局。

W25Q80DLSNIG TR被广泛应用于多个领域，包括消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子。在消费电子产品中，它常用于存储固件或用户数据，例如在智能手表、智能家居设备和可穿戴设备中。在工业控制系统中，该芯片可用于存储配置参数和程序代码，确保设备在断电后仍能保留重要数据。
　　在通信设备中，W25Q80DLSNIG TR可用于存储网络配置信息和日志数据，帮助设备快速恢复运行。而在汽车电子领域，它可用于车载导航系统、行车记录仪以及其他需要高可靠性和耐久性的应用场景。

W25Q80DVSNIG TR, W25Q80FWSSIG TR