容量：64Mbit（8MB）
　　接口类型：SPI（Serial Peripheral Interface）
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　读取速度：最大 80MHz（SPI 模式）
　　擦写周期：100,000 次（典型值）
　　数据保持时间：20 年（典型值）
　　封装类型：8 引脚 SOIC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储单元：每页 256 字节，每块 4KB/64KB

W25Q64JVXGJM-TR 是一款功能强大的串行闪存芯片，具有多种先进的功能和特性。首先，它支持高速 SPI 模式，包括单线、双线和四线 SPI，最高读取速度可达 80MHz，确保数据传输的高效性。此外，该芯片内置页编程、块擦除和全片擦除功能，支持灵活的存储管理。它还具备低功耗特性，在休眠模式下电流消耗极低，适合对能耗敏感的应用场景。
　　该芯片支持多种安全特性，包括软件和硬件写保护、64 位唯一 ID 识别码、安全寄存器锁定功能，以及 AES-128 位加密，确保数据的安全性和完整性。W25Q64JVXGJM-TR 还具备优异的耐久性和数据保持能力，可承受 100,000 次擦写周期，数据可保持长达 20 年。其宽温工作范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种恶劣环境下的工业和车载应用。
　　此外，W25Q64JVXGJM-TR 采用 8 引脚 SOIC 封装，符合 RoHS 环保标准，易于集成到 PCB 设计中。其小巧的封装形式和高效的性能使其成为嵌入式系统、固件存储、数据日志记录等应用的理想选择。

W25Q64JVXGJM-TR 被广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中。常见的应用包括固件存储（如 BIOS、Bootloader）、数据日志记录、工业控制系统的配置存储、消费类电子产品（如智能手表、无线耳机）中的参数存储、物联网设备中的程序和数据存储，以及车载电子设备（如仪表盘、导航系统）中的固件更新与存储。此外，由于其具备 AES 加密功能，该芯片也可用于需要数据安全保护的应用场景，如安防设备和智能卡系统。

W25Q64JVXIM TR, W25Q64JVSSNM TR, W25Q64FVSSNM TR